品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
输入电容:6655pF@30V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
连续漏极电流:240A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
输入电容:6655pF@30V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: