采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
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销售单位：个
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
工作温度：175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
工作温度：175℃
功率：300W
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包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
工作温度：175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
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类型：N沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
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连续漏极电流：80A
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导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：158W
栅极电荷：55nC@10V
工作温度：175℃
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
阈值电压：4V@250µA
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：STP140N6F7
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
连续漏极电流：80A
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功率：158W
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包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
阈值电压：4V@250µA
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R3E06PL，S1X
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R3E06PL，S1X
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
工作温度：175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF06
工作温度：175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
