采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4436CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4436CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5826NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
