品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":30271,"24+":14125}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":30271,"24+":14125}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: