采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
