首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    行业应用
    漏源电压
    60V
    工作温度
    栅极电荷
    包装方式
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~175℃
    栅极电荷: 180nC@10V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订149个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订149个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":820,"20+":716}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7580MTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.7V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":820,"20+":716}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7580MTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.7V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB260L 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB260L 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订4799个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订4799个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7580MTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.7V@150µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订121个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订121个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":820,"20+":716}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7580MTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.7V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT260L 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB260L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB260L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB260L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W€330W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14200pF@30V

    连续漏极电流:20A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7580MTRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":820,"20+":716}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7580MTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:3.7V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@25V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧