品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1800,"02+":1236,"03+":160,"MI+":50}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@11A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: