品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
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连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
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栅极电荷:20nC@10V
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连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
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连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
连续漏极电流:6A€27A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
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ECCN:EAR99
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
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栅极电荷:20nC@10V
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连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: