品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ44PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1330EDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@250mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ14PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:散装
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS106DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€24W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:9.8A€16A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD014PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2308BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.09W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ14GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ40PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: