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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
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功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
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功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
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功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
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栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
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输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
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功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
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输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
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输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
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功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
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功率：313W
阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB048N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4.9V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@75V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
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输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
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