品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30025}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":798}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ALGC11
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ALHRC11
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ALGC11
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040H65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT040HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:221W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:39.5nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@20A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK099V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2604,"22+":4050,"23+":537}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ALHRC11
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT055HU65G3AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:185W
阈值电压:4.2V@1mA
栅极电荷:29nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:721pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@15A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ARC14
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2604,"22+":4050,"23+":537}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080ALHRC11
工作温度:175℃
功率:134W
阈值电压:5.6V@5mA
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:571pF@500V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":798}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT095N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2833pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB110N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@3mA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2480pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: