品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2710
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4354pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC076N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2808pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDQ60R010S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3.08mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:318nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11987pF@300V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R040C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N30Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3160pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@25A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:19+
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@4mA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@25A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFT50N85XHV
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:5.5V@4mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4480pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ50N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R040C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NQ5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7,"22+":392}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R040C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19537Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€83W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NKCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: