品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1204R7BFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:715pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
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规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Microchip
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1204R7BFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:715pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197LS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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