采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW5NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1154pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1154pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC40GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13306W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13306W
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFY4N85X
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：247pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：850V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N85X
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：247pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：850V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
