品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD175N10TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R190CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R190CFDFKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH22N95K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD175N10TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R190CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW95R310PFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@520µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1765pF@400V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@10.4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190CFDXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD175N10TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R190CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4.5V@730µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:151W
阈值电压:4.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: