采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6539，"9999"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31H3046XKSA1
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
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库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31H3046XKSA1
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连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
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类型：N沟道
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
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ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：散装
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类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
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类型：N沟道
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漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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栅极电荷：66nC@10V
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连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
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包装方式：散装
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类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
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库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
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栅极电荷：32nC@10V
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导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：14.5A
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
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阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6676AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3411}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：BUZ31HXKSA1
输入电容：1120pF@25V
功率：95W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，5V
连续漏极电流：14.5A
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：14.5A
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6676AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6676AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6676AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2510pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
