采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：11654}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW70R950CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS70R950CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU9N25TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：11654}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW70R950CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4374，"MI+"：1059}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU9N25TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：53700，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：80，"16+"：500，"17+"：400，"18+"：495，"19+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI70R950CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3438DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8425
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1098pF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60ZL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：960，"21+"：18000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBF170R650M1XTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：5.7V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：422pF@1000V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
