品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7658ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: