品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2577pF@30V
连续漏极电流:10.3A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2577pF@30V
连续漏极电流:10.3A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2577pF@30V
连续漏极电流:10.3A€45A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: