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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：48041}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@20V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD113PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@800mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：48041}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@20V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@20V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：107mΩ@2A，10V
输入电容：235pF@30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
阈值电压：2.8V@1mA
功率：1W
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：48041}
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
输入电容：310pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：137mΩ@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD113PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@800mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K318R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
