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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
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功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
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功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
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输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
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规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
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输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
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连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
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功率：1W
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输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：1W
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栅极电荷：3.2nC@4.5V
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输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
工作温度：175℃
导通电阻：69mΩ@2A，10V
功率：1W
连续漏极电流：3.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
类型：N沟道
输入电容：250pF@10V
栅极电荷：3.2nC@4.5V
漏源电压：45V
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361TU，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
