采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：散装
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@360mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
