品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3462-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:785mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3781,"17+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3457-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19895}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1439-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5846,"17+":68000,"18+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3457-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000,"23+":40000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":145000,"14+":14639}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1439-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3457-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: