品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17629,"22+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17629,"22+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17629,"22+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17629,"22+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R600P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:60W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:3.5V@170µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:570pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: