采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD5T40P
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：273pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R280CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@180µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：807pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1088pF@30V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：107400，"21+"：1065，"22+"：863，"9999"：1367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR624DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@100V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
