品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:450pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
栅极电荷:13.2nC@10V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:450pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
栅极电荷:13.2nC@10V
连续漏极电流:3.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN280ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: