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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R800CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R800CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R800CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:373pF@100V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订1374个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL630PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL630PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF830PBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF830PBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1 起订785个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1 起订785个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R460CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@100V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC30PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF730ASPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF730ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830STRLPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830STRLPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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