品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N40K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1440EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN2NF10
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1HNK60
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1HNK60
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1440EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1440EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1HNK60
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3NF06
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN1HNK60
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1440EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: