品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18NM80
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: