采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH43M8LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2693pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
