采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：5950pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK961R6-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16400pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH64N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3620pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0210N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK961R6-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16400pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK961R6-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：120nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16400pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP80N075L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R8-80E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12030pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK765R0-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11810pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
