采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：44，"16+"：50，"17+"：247，"18+"：1301，"20+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3709PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2672pF@16V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：44，"16+"：50，"17+"：247，"18+"：1301，"20+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3709PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2672pF@16V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD18503Q5AT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：100A
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
栅极电荷：16nC@4.5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
