采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14428，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14428，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14428，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
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连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
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连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
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输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
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连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
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连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP7030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1760pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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