采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C682NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C682NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C682NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
