品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2731T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:18A€39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:18A€39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:18A€39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU003N03FRAT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E160ADTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2731T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0391DPA-00#J5A
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS100N03FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E320GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€34.6W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: