采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U17TR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U17TR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U17TR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2103T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U17TR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
