采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR51-25YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@2mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6990pF@12V
连续漏极电流：380A
类型：N沟道
导通电阻：0.57mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N50P2
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：113nC@10V
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@26A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR51-25YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6990pF@12V
连续漏极电流：380A
类型：N沟道
导通电阻：0.57mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR51-25YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@2mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6990pF@12V
连续漏极电流：380A
类型：N沟道
导通电阻：0.57mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ110EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
