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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
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栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：82W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
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输入电容：970pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
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类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：82W
阈值电压：3.5V@200µA
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连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：82W
阈值电压：3.5V@200µA
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连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
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栅极电荷：20.5nC@10V
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输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1324pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：82W
阈值电压：3.5V@200µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R650CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：82W
阈值电压：3.5V@200µA
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输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：9.9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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