品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4820pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@28.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:224W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4820pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@28.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2657,"23+":3108}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":581}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:224W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:224W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:224W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT31M6LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7019pF@15V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH15N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH15N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: