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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPBE65R099CFD7AATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPBE65R099CFD7AATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPBE65R099CFD7AATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2513pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R099CFD7AATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R099CFD7AATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R099CFD7AATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2513pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:53nC@10V

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9NK60Z 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP9NK60Z 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订201个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订201个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":667}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7619-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订133个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订133个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":940,"9999":192}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R099CFD7AAKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2513pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R099CFD7AAKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2513pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N80AE-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订169个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订169个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R099CFD7AAKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R099CFD7AAKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2513pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1 起订341个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1 起订341个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14661,"16+":21,"22+":195,"23+":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@66µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3770pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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