品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@190µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3844pF@40V
连续漏极电流:22A€135A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@40V
连续漏极电流:23A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7606-55B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@40V
连续漏极电流:23A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R1-30YLEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3749pF@15V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.17mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2538}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP45N06S4L08AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3907pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1995,"19+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFZ48Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202ET120
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4585pF@60V
连续漏极电流:13.5A€102A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3907pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202ET120
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4585pF@60V
连续漏极电流:13.5A€102A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@190µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3844pF@40V
连续漏极电流:22A€135A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@190µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3844pF@40V
连续漏极电流:22A€135A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: