采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M67-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：334pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R2K1CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R2K1CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R2K1CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5593，"9999"：919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R2K1CEBKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：22W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：18.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.3A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
