品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3002pF@125V
连续漏极电流:63.5A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP11N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10246}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10246}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6705pF@30V
连续漏极电流:18A€56A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6705pF@30V
连续漏极电流:18A€56A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: