品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K345R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: