销售单位:个
规格型号(MPN):AOD482
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@50V
连续漏极电流:5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:23.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:23.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R160P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:23.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2608}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: