采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1657}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7780MTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6504pF@25V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@53A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：32A€191A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
