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    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@30V

    连续漏极电流:454A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@150A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@25V

    连续漏极电流:217A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@132A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@25V

    连续漏极电流:217A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@132A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS0D5N04CTXG 起订71个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS0D5N04CTXG 起订71个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":683}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS0D5N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€198.4W

    阈值电压:4V@475µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12600pF@25V

    连续漏极电流:65A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX120N25P 起订5个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX120N25P 起订5个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX120N25P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订171个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订171个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N12S305AKSA1 起订127个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N12S305AKSA1 起订127个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":980,"19+":95,"21+":200}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP100N12S305AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@25V

    连续漏极电流:217A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@132A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX120N25P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX120N25P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX120N25P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N12S305ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N12S305ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E350BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E350BNTB

    工作温度:150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7900pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK100N25P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK100N25P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK100N25P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6300pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS0D5N04CTXG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS0D5N04CTXG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS0D5N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€198.4W

    阈值电压:4V@475µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12600pF@25V

    连续漏极电流:65A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@30V

    连续漏极电流:454A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@150A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA180N10T2 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA180N10T2 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA180N10T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:480W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8443 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8443

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9310pF@25V

    连续漏极电流:25A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM100N10-10_GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM100N10-10_GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM100N10-10_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8050pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50028EM_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50028EM_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50028EM_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11900pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@30V

    连续漏极电流:454A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@150A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI100N12S305AKSA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI100N12S305AKSA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":19500,"19+":19828}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI100N12S305AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7480MTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@25V

    连续漏极电流:217A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@132A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N12S305ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N12S305ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":735,"22+":572,"23+":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT008N06NM5LFATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@30V

    连续漏极电流:454A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@150A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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