品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:2.3V@1mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":123,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12614,"23+":24142}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":44000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN7110TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€125W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8503NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:2.3V@1mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":260,"23+":2588}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@15V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: