品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@50V
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1656pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€24W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€24W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STTFS015N10MCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:3V@77µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y13-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1311pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-40MSDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1322pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€62W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@50V
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4315TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: