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    功率
    漏源电压
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    功率: 283W
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    库存/批次
    价格
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    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:2.7V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:2.7V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C3M0032120D
    CREE Mosfet场效应管 C3M0032120D

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0032120D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:3.6V@11.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3357pF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@40A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0032120K
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0032120K

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0032120K

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:3.6V@11.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3357pF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@40A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:149
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:2.7V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:2.7V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    CREE Mosfet场效应管 C3M0032120D
    CREE Mosfet场效应管 C3M0032120D

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0032120D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:3.6V@11.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3357pF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@40A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":21,"18+":1840,"19+":30,"20+":5,"MI+":4030}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5860NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5860NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:283W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10760pF@25V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:124
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    阈值电压:2.7V@2mA

    功率:283W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA070B4

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA070B4

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    阈值电压:2.7V@2mA

    功率:283W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:44mΩ@30A,20V

    漏源电压:700V

    包装方式:管件

    输入电容:2010pF@700V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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